微泰，多位閘閥，多位置閘閥，多定位閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。微泰多位閘閥，多位置閘閥，多定位閘閥其特點是?操作模式：本地和遠程?緊急情況：自動關閉?慢速泵送功能。多位閘閥，多位置閘閥，多定位閘閥規格如下：材料：閥體 STS304， 機制 STS304、法蘭尺寸(內徑) 4英寸~10英寸、閘門密封 FKM(VITON)、開/關振動 無振動、He泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、閘門壓差 ≤1.4 bar、分子流動電導（ISO100）1891 l/s、閥座 1X10-10 mbar?L/秒、泄漏率閥體 1X10-10 mbar?L/Sec、壓力范圍 1X10-10mbar 至 1.4 bar、閘門上任一方向的壓差≤1.4 bar、安裝位置：任意。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。 高壓閘閥，屬于強制密封式閥門，所以在閥門關閉時，必須向閘板施加壓力，以強制密封面不泄漏。多位閘閥英菲尼亞半導體

微泰半導體閘閥具有諸多特點：其閥門驅動部分的所有滾子和軸承都經過精心防護處理，形成屏蔽和保護環（Shield Blocker 和 Protection Ring），通過三重預防方式有效切斷粉末（Powder），從而延長閥門驅動及使用壽命。該閘閥采用的三重預防驅動方式中的 Shield 功能，能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內部，同時具備三重保護驅動保護環，可延長 GV 壽命的 Shield 方法，并已供應給海外半導體 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 設備。此外，擋板與閥體之間的距離小于 1mm，能夠強力阻擋內部粉末和氣體的流入，屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成，充分考慮了其復原力，并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護保護環的主要功能則包括：AL 材料的重量減輕和保護環內部照明的改善、保護環內部流速的增加以及三元環的應用確保了驅動性能的提升。多位閘閥蝶形控制閥用真空閘閥時，應考慮與工藝氣體的兼容性、工作壓力范圍、循環速度和維護要求等因素。

微泰，三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應用于? 蒸發?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴散?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*3個位置功能-閥門打開,閥門關閉,第3位置*設備可通過連接到閥門的9 Pin D-Sub來讀取閥門狀態*手動和氣動閥門組合*應用:需要壓力控制的任何其他過程*應用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績

微泰，三重防護閘閥、三防閘閥，應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD? 涂層? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。微泰三重防護閘閥、三防閘閥其特點是? 閥門控制器（1CH ~ 4CH）? 應用：半導體生產線中粉末和氣體等副產品的處理，防止回流。三重防護閘閥、三防閘閥規格如下：操作：氣動、法蘭尺寸（內徑） 2.5? ~ 10?、法蘭類型ISO，KF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型環/Kalrez O型環、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作壓力范圍： 1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、閘門上的壓差； 1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ?/sec、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。微泰轉移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統。

微泰，高壓閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵。高壓閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。高壓閘閥只許介質單向流動，安裝時有方向性。它的結構長度大于閘閥，同時流體阻力大。UHV閘閥ALUMINUM GATE VALVE

控制系統閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。多位閘閥英菲尼亞半導體

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內置控制器，可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關閉功能，以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點之一是能夠遠程檢查閥門狀態，并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，適用于需要壓力控制的所有加工領域。采用手動調節控制裝置控制，用戶可直接控制閘門的開啟和關閉，以調節壓力。微泰半導體多定位閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。多位閘閥英菲尼亞半導體