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四川碳納米管器件及電路芯片工藝定制開發
發布時間：2024.08.10
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司在硅基氮化鎵產品研發領域具備專業的技術實力。公司專注于提升半導體器件的性能，通過深入研究硅基氮化鎵器件與芯片技術，持續推動創新與技術進步。公司的團隊擁有豐富的...
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重慶石墨烯芯片工藝技術服務
發布時間：2024.08.10
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司在太赫茲芯片研發方面具有雄厚的實力和扎實的基礎。公司擁有一支在太赫茲芯片領域經驗豐富、專業精湛的研發團隊，始終保持著創新的精神，致力于推動太赫茲芯片技術的發展...
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四川硅基氮化鎵器件及電路芯片加工
發布時間：2024.08.10
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是一家專注于大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲二極管研發的科技企業。公司憑借著多年來在領域內的經驗積累和不斷的技術創新，擁有了先進的產品開發技術。作為一家高科技企...
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福建太赫茲芯片流片
發布時間：2024.08.09
太赫茲放大器系列產品的應用領域極為普遍 ，其在通信技術領域的應用尤為引人注目。借助太赫茲技術，可以實現數據在極短時間內的高速傳輸，極大地拓寬了網絡帶寬，為5G乃至未來更高級別的通信標準提供...
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四川熱源器件及電路芯片定制開發
發布時間：2024.08.09
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司在半導體器件及電路的加工流片領域具備專業的技術實力和創新能力。作為一家專注于半導體技術研究的機構，公司擁有一支高素質的研發團隊，配備了先進的研發設備，為公司的...
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福建微波毫米波器件及電路芯片定制開發
發布時間：2024.08.09
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的高功率密度熱源產品可應用于微系統和微電子領域。隨著科技的不斷進步和需求的日益增長，微系統和微電子設備的集成度和性能要求也在不斷提高。而這些設備由于體積小、功...
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貴州異質異構集成器件及電路芯片流片
發布時間：2024.08.09
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司，專注于大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲二極管的研發，以豐富的行業經驗和持續的技術創新，推動著這一領域的發展。公司深知，技術是企業的核心競爭力，因此公司匯聚了一...
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湖北微波毫米波芯片定制開發
發布時間：2024.07.31
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺設備齊全，具備優良的半導體芯片研發條件。公司旨在為客戶提供技術支持和服務，以滿足不斷發展的市場需求。公司不僅具備設備齊全的優勢，還在芯片研發方...
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甘肅硅基氮化鎵器件及電路芯片工藝定制開發
發布時間：2024.07.31
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內為數不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模...
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陜西碳納米管芯片開發
發布時間：2024.07.31
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲...
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化合物半導體加工
發布時間：2024.05.13
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的杰出產品——高功率密度熱源產品，集成了熱源管芯和熱源集成外殼，巧妙地采用了先進的厚金技術。它的背面設計允許與各種熱沉進行金錫等焊料集成，甚至在集成到外殼后，仍能在任...
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四川SBD器件及電路芯片加工
發布時間：2024.05.09
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術開發服務。這款芯片具備結電容小、截止頻率高等特點，是高截止頻率電子元器件的理想選擇。同時，該系列芯片展現出低寄生、高頻響的...
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重慶化合物半導體芯片開發
發布時間：2024.05.07
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術開發服務。這款芯片具備結電容小、截止頻率高等特點，是高截止頻率電子元器件的理想選擇。同時，該系列芯片展現出低寄生、高頻響的...
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甘肅碳納米管器件及電路芯片工藝技術服務
發布時間：2024.05.05
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內為數不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模...
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光電器件設計
發布時間：2024.05.03
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的杰出產品——高功率密度熱源產品，集成了熱源管芯和熱源集成外殼，巧妙地采用了先進的厚金技術。它的背面設計允許與各種熱沉進行金錫等焊料集成，甚至在集成到外殼后，仍能在任...
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甘肅光電芯片測試
發布時間：2024.05.01
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測試儀是針對超高導熱材料自主研發的熱物性測試儀器，可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料（金剛石、SiC等）熱物性測試，測...
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遼寧SBD芯片工藝技術服務
發布時間：2024.04.29
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的公共技術服務平臺，具備光刻工藝技術服務，能夠實現50nm級別的芯片制造。通過精密的光掩模和照射技術，公司能夠將所需的圖案精確地轉移到晶圓上，為芯片的制造提供...
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廣東碳納米管芯片測試
發布時間：2024.04.28
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內為數不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模...
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北京硅基氮化鎵器件及電路芯片設計
發布時間：2024.04.28
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲...
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河南微波毫米波器件及電路芯片開發
發布時間：2024.04.27
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品的研發與創新，致力于為客戶提供高效、可靠的解決方案。公司的產品具備優良的耐功率和高速性能，能夠大幅提高整流功率和效率，...
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安徽金剛石芯片開發
發布時間：2024.04.26
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的公共技術服務平臺，具備光刻工藝技術服務，能夠實現50nm級別的芯片制造。通過精密的光掩模和照射技術，公司能夠將所需的圖案精確地轉移到晶圓上，為芯片的制造提供...
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河南石墨烯芯片加工
發布時間：2024.04.25
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲...
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硅基氮化鎵芯片設計
發布時間：2024.04.22
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發，為客戶提供專業的技術解決方案。與傳統的SiLDMOS相比，該芯片具有更高的工作頻率、更大的功率和更小的體積等優...
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太赫茲電路測試
發布時間：2024.04.18
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺是專業提供芯片工藝技術服務、微組裝及測試技術服務的機構。公司匯聚了一支經驗豐富、技術精湛的團隊，致力于為客戶提供專業的技術支持和解決方案。在芯...
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浙江異質異構集成芯片加工
發布時間：2024.01.18
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺是專業提供芯片工藝技術服務、微組裝及測試技術服務的機構。公司匯聚了一支經驗豐富、技術精湛的團隊，致力于為客戶提供專業的技術支持和解決方案。在芯...
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安徽異質異構集成芯片設計
發布時間：2024.01.15
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺，專注于太赫茲測試領域，具備先進的測試設備和專業的技術服務能力。公司的測試設備能夠達到500GHz的超高測試頻率，覆蓋多領域的高頻器件測試與分...
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浙江SBD器件及電路芯片工藝定制開發
發布時間：2024.01.15
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供定制化的SBD太赫茲集成電路芯片服務，幫助客戶在市場競爭中脫穎而出。公司以客戶滿意為導向，始終致力于提供高質量的產品和服務。無論是在技術支持還...
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四川石墨烯芯片流片
發布時間：2024.01.14
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的杰出產品——高功率密度熱源產品，集成了熱源管芯和熱源集成外殼，巧妙地采用了先進的厚金技術。它的背面設計允許與各種熱沉進行金錫等焊料集成，甚至在集成到外殼后，仍能在任...
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天津光電器件及電路器件及電路芯片定制開發
發布時間：2024.01.13
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發，為客戶提供專業的技術解決方案。與傳統的SiLDMOS相比，該芯片具有更高的工作頻率、更大的功率和更小的體積等優...
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湖北光電芯片定制開發
發布時間：2024.01.11
南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的重要產品之一是高功率密度熱源產品，該產品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，采用了先進的厚金技術。其獨特的背面金錫焊料集成設計，使得熱源可以與任意熱沉進行集成，滿...