由于浪涌電流會使二極管在很短的時間內產生大量熱，結溫快速上升，長治肖特基二極管，在器件內部產生機械應力，因此對于大功率二極管模塊而言，機械應力容易造成芯片與絕緣基板開裂，浪涌電流要留有足夠的余量。晶體三極管有幾種型號呢檢測晶體三極管時，選擇反應靈敏的指針萬用表。將萬用表的量程調整至擋，并進行調零校正。將萬用表的黑表表筆搭在假設的基極(b)引腳處，紅表筆分別接集電極(c)和發(fā)射極（e）引腳處。觀察萬用表的讀數。若測得的兩個阻值均為低阻值則黑表筆所接引腳為基極，待測的晶體三極管為NPN型；若測得的阻值為高阻值（約為無窮大），則待測的晶體三極管為PNP型。單電子晶體管每個存儲元只包含了一個或少量電子，因此它將較大降低功耗，提高集成電路的集成度。整流橋二極管

三極管各區(qū)的工作條件：1．放大區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結反偏：2．飽和區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結正偏；3．截止區(qū)：發(fā)射結反偏，集電結反偏。11、半導體三極管的好壞檢測a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測量PNP型半導體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測量PNP型半導體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:PNP三極管報價現今比較普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。

變容二極管的檢測1．正、負極的判別有的變容二極管的一端涂有黑色標記，這一端即是負極，而另一端為正極。還有的變容二極管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負極。也可以用數字萬用表的二極管檔，通過測量變容二極管的正、反向電壓降來判斷出其正、負極性。正常的變容二極管，在測量其正向電壓降時，表的讀數為；測量其反向電壓降時，表的讀數顯示為溢出符號“1”。在測量正向電壓降時，紅表筆接的是變容二極管的正極，黑表筆接的是變容二極管的負極。2．性能好壞的判斷用指針式萬用表的R×10k檔測量變容二極管的正、反向電阻值。正常的變容二極管，其正、反向電阻值均為∞（無窮大）。若被測變容二極管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極管漏電或擊穿損壞。

MOS管現在用于高電壓、大電流下基本上都使用MOS管。由于工藝和材料的差異，N溝道的MOS管可以做到耐壓高、導通電流大。IXFK38N80是一款大功率MOS管，稱為HiPerFETPowerMOSFETS。數據手冊給定的參數為：擊穿電壓Vds=800V，工作電流：38A。下圖是測量該MOS管擊穿電壓與電流曲線，它的擊穿電壓與手冊規(guī)定的數值基本一致。IXFK38N80擊穿電壓電流曲線通常情況下，MOS管耐壓越高，導通電阻就越大，使得MOS的功耗增加。將MOS管與雙極性三極管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐壓和低導通電阻兩方面做到兼容。G40N60是手邊的一款IGBT，手冊給出的擊穿電壓為。600V。下圖給出的擊穿電壓電流曲線顯示實際的擊穿電壓在750V左右。G40N60擊穿電壓電流曲線IGBT中由于存在雙極性三極管，它是利用少數載流子完成電流導通，所以IGBT的截止時間較長，無法工作在高頻電路中。近年來逐步推廣的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的頻率低的問題，在高電壓、低電阻、高頻率各方面都具有優(yōu)勢。C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介紹過它的原理和特性。C2M008012碳化硅MOS管但是在前面推文中對它的擊穿電壓電流曲線測量存在問題，主要是當時所使用的高壓電源功率太小造成的。深圳市凱軒業(yè)科技致力于晶體管產品研發(fā)及方案設計，歡迎您的來電！

穩(wěn)壓二極管是很多電路中，低電流供電時使用比較多的方案。因為其成本低，只需與電阻組合，就能夠實現基本的穩(wěn)壓電路。雖然它的穩(wěn)壓精度無法做到太高，但是在很多要求不高的電路中，還是比較合適的。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理穩(wěn)壓二極管也叫做齊納二極管，它具有普通二極管正向導通、反向截止的特性，但是這種二極管的反向電壓超過一定值的時候，會出現擊穿的現象，并且這種擊穿是軟擊穿，并不會對二極管造成損壞。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓作用，就是利用了它的反向擊穿作用。穩(wěn)壓二極管內部也是由PN結構成的，PN結在反向擊穿時，電流在一定范圍內變化時，電壓會基本保持不變。場效應晶體管利用場效應原理工作的晶體管，英文簡稱FET。整流橋二極管

肖特基二極管利用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。整流橋二極管

三極管有三個區(qū)域，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是同一個類型，而中間的基區(qū)是另外一個類型。發(fā)射區(qū)發(fā)射電荷，集電區(qū)收集電荷，基區(qū)用于控制發(fā)射和收集電荷的數量，即電流大小。以NPN為例，發(fā)射區(qū)的電荷（自由電子）要想到達集電區(qū)，需要穿過兩個PN結：發(fā)射結和集電結。在發(fā)射區(qū)，自由電子是多子，所以需要在發(fā)射結上加正偏電壓，讓PN結消失，作為多子擴散到基區(qū)。到達基區(qū)后，極少部分電子通過與基區(qū)空穴復合形成電流，從基極流出（電流方向是從基極流入），但基區(qū)空穴極少，故大部分電荷沒有復合的機會，堆積在集電結附近。基區(qū)自由電子稱為少子（但是***數量較多，基區(qū)本身的自由電子+從發(fā)射區(qū)擴散來的自由電子），需要在集電結反偏時，作為少子漂移過集電結到達集電區(qū)。所以三極管工作時需要在發(fā)射結加正偏電壓，而集電結加反偏電壓。發(fā)射結正偏電壓的大小決定了從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的電荷數目，也間接決定了將來從基極和集電極流出的電子數目，極電流的大小。集電結反偏電壓的大小也決定了從基區(qū)吸引過來的電子的數目多少。所以集電極電流IC是由發(fā)射結電壓和集電結電壓共同作用的結果整流橋二極管