由于浪涌電流會(huì)使二極管在很短的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生大量熱，結(jié)溫快速上升，長(zhǎng)治肖特基二極管，在器件內(nèi)部產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，因此對(duì)于大功率二極管模塊而言，機(jī)械應(yīng)力容易造成芯片與絕緣基板開(kāi)裂，浪涌電流要留有足夠的余量。晶體三極管有幾種型號(hào)呢檢測(cè)晶體三極管時(shí)，選擇反應(yīng)靈敏的指針萬(wàn)用表。將萬(wàn)用表的量程調(diào)整至擋，并進(jìn)行調(diào)零校正。將萬(wàn)用表的黑表表筆搭在假設(shè)的基極(b)引腳處，紅表筆分別接集電極(c)和發(fā)射極（e）引腳處。觀察萬(wàn)用表的讀數(shù)。若測(cè)得的兩個(gè)阻值均為低阻值則黑表筆所接引腳為基極，待測(cè)的晶體三極管為NPN型；若測(cè)得的阻值為高阻值（約為無(wú)窮大），則待測(cè)的晶體三極管為PNP型。單電子晶體管每個(gè)存儲(chǔ)元只包含了一個(gè)或少量電子，因此它將較大降低功耗，提高集成電路的集成度。整流橋二極管

三極管各區(qū)的工作條件：1．放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏：2．飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；3．截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。11、半導(dǎo)體三極管的好壞檢測(cè)a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:PNP三極管報(bào)價(jià)現(xiàn)今比較普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。

變?nèi)荻O管的檢測(cè)1．正、負(fù)極的判別有的變?nèi)荻O管的一端涂有黑色標(biāo)記，這一端即是負(fù)極，而另一端為正極。還有的變?nèi)荻O管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負(fù)極。也可以用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔，通過(guò)測(cè)量變?nèi)荻O管的正、反向電壓降來(lái)判斷出其正、負(fù)極性。正常的變?nèi)荻O管，在測(cè)量其正向電壓降時(shí)，表的讀數(shù)為；測(cè)量其反向電壓降時(shí)，表的讀數(shù)顯示為溢出符號(hào)“1”。在測(cè)量正向電壓降時(shí)，紅表筆接的是變?nèi)荻O管的正極，黑表筆接的是變?nèi)荻O管的負(fù)極。2．性能好壞的判斷用指針式萬(wàn)用表的R×10k檔測(cè)量變?nèi)荻O管的正、反向電阻值。正常的變?nèi)荻O管，其正、反向電阻值均為∞（無(wú)窮大）。若被測(cè)變?nèi)荻O管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極管漏電或擊穿損壞。

MOS管現(xiàn)在用于高電壓、大電流下基本上都使用MOS管。由于工藝和材料的差異，N溝道的MOS管可以做到耐壓高、導(dǎo)通電流大。IXFK38N80是一款大功率MOS管，稱(chēng)為HiPerFETPowerMOSFETS。數(shù)據(jù)手冊(cè)給定的參數(shù)為：擊穿電壓Vds=800V，工作電流：38A。下圖是測(cè)量該MOS管擊穿電壓與電流曲線(xiàn)，它的擊穿電壓與手冊(cè)規(guī)定的數(shù)值基本一致。IXFK38N80擊穿電壓電流曲線(xiàn)通常情況下，MOS管耐壓越高，導(dǎo)通電阻就越大，使得MOS的功耗增加。將MOS管與雙極性三極管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐壓和低導(dǎo)通電阻兩方面做到兼容。G40N60是手邊的一款I(lǐng)GBT，手冊(cè)給出的擊穿電壓為。600V。下圖給出的擊穿電壓電流曲線(xiàn)顯示實(shí)際的擊穿電壓在750V左右。G40N60擊穿電壓電流曲線(xiàn)IGBT中由于存在雙極性三極管，它是利用少數(shù)載流子完成電流導(dǎo)通，所以IGBT的截止時(shí)間較長(zhǎng)，無(wú)法工作在高頻電路中。近年來(lái)逐步推廣的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的頻率低的問(wèn)題，在高電壓、低電阻、高頻率各方面都具有優(yōu)勢(shì)。C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介紹過(guò)它的原理和特性。C2M008012碳化硅MOS管但是在前面推文中對(duì)它的擊穿電壓電流曲線(xiàn)測(cè)量存在問(wèn)題，主要是當(dāng)時(shí)所使用的高壓電源功率太小造成的。深圳市凱軒業(yè)科技致力于晶體管產(chǎn)品研發(fā)及方案設(shè)計(jì)，歡迎您的來(lái)電！

穩(wěn)壓二極管是很多電路中，低電流供電時(shí)使用比較多的方案。因?yàn)槠涑杀镜停恍枧c電阻組合，就能夠?qū)崿F(xiàn)基本的穩(wěn)壓電路。雖然它的穩(wěn)壓精度無(wú)法做到太高，但是在很多要求不高的電路中，還是比較合適的。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理穩(wěn)壓二極管也叫做齊納二極管，它具有普通二極管正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟奶匦裕沁@種二極管的反向電壓超過(guò)一定值的時(shí)候，會(huì)出現(xiàn)擊穿的現(xiàn)象，并且這種擊穿是軟擊穿，并不會(huì)對(duì)二極管造成損壞。穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓作用，就是利用了它的反向擊穿作用。穩(wěn)壓二極管內(nèi)部也是由PN結(jié)構(gòu)成的，PN結(jié)在反向擊穿時(shí)，電流在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，電壓會(huì)基本保持不變。場(chǎng)效應(yīng)晶體管利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管，英文簡(jiǎn)稱(chēng)FET。整流橋二極管

肖特基二極管利用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。整流橋二極管

三極管有三個(gè)區(qū)域，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是同一個(gè)類(lèi)型，而中間的基區(qū)是另外一個(gè)類(lèi)型。發(fā)射區(qū)發(fā)射電荷，集電區(qū)收集電荷，基區(qū)用于控制發(fā)射和收集電荷的數(shù)量，即電流大小。以NPN為例，發(fā)射區(qū)的電荷（自由電子）要想到達(dá)集電區(qū)，需要穿過(guò)兩個(gè)PN結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)。在發(fā)射區(qū)，自由電子是多子，所以需要在發(fā)射結(jié)上加正偏電壓，讓PN結(jié)消失，作為多子擴(kuò)散到基區(qū)。到達(dá)基區(qū)后，極少部分電子通過(guò)與基區(qū)空穴復(fù)合形成電流，從基極流出（電流方向是從基極流入），但基區(qū)空穴極少，故大部分電荷沒(méi)有復(fù)合的機(jī)會(huì)，堆積在集電結(jié)附近。基區(qū)自由電子稱(chēng)為少子（但是***數(shù)量較多，基區(qū)本身的自由電子+從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散來(lái)的自由電子），需要在集電結(jié)反偏時(shí)，作為少子漂移過(guò)集電結(jié)到達(dá)集電區(qū)。所以三極管工作時(shí)需要在發(fā)射結(jié)加正偏電壓，而集電結(jié)加反偏電壓。發(fā)射結(jié)正偏電壓的大小決定了從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電荷數(shù)目，也間接決定了將來(lái)從基極和集電極流出的電子數(shù)目，極電流的大小。集電結(jié)反偏電壓的大小也決定了從基區(qū)吸引過(guò)來(lái)的電子的數(shù)目多少。所以集電極電流IC是由發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓共同作用的結(jié)果整流橋二極管