15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的 PN 結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為 RC 時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。場效應管能在不同電壓條件下實現準確電流控制。河北場效應管廠家供應

早期的二極管也就是半導體的制作工藝是將兩個立體的摻雜材料放在一起高溫熔接而成，現在的二極管和原來相比只是制作工藝更加精確，讓兩個相鄰的不同摻雜區域組合構成，一個區域是在半導體材料中摻入施主原子產生自由電子的n區域，另一個是摻入受主原子形成有自由空穴的p型區域，兩個區域的交界就是二極管的物理結，其電子結包括各區域的狹窄邊緣，稱為耗盡層也就是上面介紹的PN結，二極管的p型區域為正極，n型區域則相反，大體結構圖如下。福建場效應管平臺場效應管經凱軒業精心研發，技術成熟且可靠。

10、穩壓二極管是代替穩壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從 3V 左右到 150V，按每隔 10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從 200mW 至 100W 以上的產品。工作在反向擊穿狀態，硅材料制作，動態電阻 RZ 很小，一般為 2CW 型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為 2DW 型。使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。

大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區的空穴濃度遠大于N區的自由電子濃度，因此，P區的空穴必然向N區擴散，并與N區中的自由電子復合而消失；同樣，N區的自由電子必然向P區漂移，并與P區中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區的產生，擴散運動導致了P區一側失去空穴而留下負離子，N區一側失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區域稱為空間電荷區，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區內就會產生一個內電場，內電場的產生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態平衡，較后形成了PN結。場效應管能將微弱電信號放大，場效應管功能強大實用。

整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對一定頻率的交流電進行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉換為直流，其具有高電壓、高電流特性。另外，根據使用頻率和使用條件不同，轉換效率有所不同，提供低VF（正向電壓）、高速開關型、低噪音等產品。顧名思義，是指具有開關功能的二極管。此二極管具有正向施加電壓時電流通過 (ON)，反向施加電壓時電流停止 (OFF) 的性能。反向恢復時間 (trr) 短，與其他二極管相比，開關特性優異使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。凱軒業致力于為客戶提供優良的場效應管產品。河北場效應管廠家供應

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整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個術語，它是通過二極管的單向導通原理來完成工作的，通俗的來說二極管它是正向導通和反向截整流橋就是將整流管封在一個殼內了.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,（一）整流橋堆整流橋（D25XB60）堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。1．全橋 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的，圖4-65是其電路圖形符號與內部電路河北場效應管廠家供應