本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。BOE蝕刻液請認準蘇州博洋化學。安徽什么是BOE蝕刻液圖片

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BOE 蝕刻液（Buffered Oxide Etch）是一種在微加工和半導體制造過程中常用的蝕刻溶液。安徽什么是BOE蝕刻液圖片

    除去75重量％的油。在45°C下的簡單加熱、或者在環境溫度(20°C)下的簡單攪拌或超聲應用可以除去所有的沉積油。此外，沒有觀察到油的溶解，而是觀察到上升到液體表面的油的脫離(卷起機理(rollingupmechanism)).與快速導致溶劑飽和的溶解機理相比，該卷起機理更為有利。油溶解試驗的總體過程將硅油(得自CromptonCorporation(Greenwich,USA)的CromptonL9000—1000)引入到100ml待評價組合物中，并測定在環境溫度下立即溶解的硅油的量(其以所溶解的油相對于該混合物的百分數表示)。實施例5在使用％的九氟丁基乙基醚和％的甲基四氫呋喃的共沸組合物的情況下，溶解超過17重量％的油。實施例6在使用九氟丁基乙基醚的情況下，多溶解2重量％的油并且觀察到反混合(demixing)。權利要求組合物，其包含甲基四氫呋喃和至少一種式C4F9OR的九氟丁基烷基醚，在式C4F9OR中，R具有1～4個碳原子的線型或支化的飽和烷基鏈。2.權利要求1的組合物，特征在于，所述組合物包含540重量％的甲基四氫呋喃和6095重量％的式C4F90R的九氟丁基烷基醚。3.權利要求1或2的組合物，特征在于，所述式C4F90R的九氟丁基烷基醚是九氟丁基甲基醚和九氟丁基乙基醚。4.權利要求13中任一項的組合物，特征在于。安徽什么是BOE蝕刻液圖片