形成氣液混合體，從擴散管22排出又進入到再生液調配缸3。電解再生某線路板生產線蝕刻廢液，蝕刻廢液量1000m3/d，相比沒有使用本實用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統，能耗節約40％，節約使用藥品100kg/d，經濟效益提高30％。作為本實施例的一個示例，電解槽1的陽極可選用石墨電極，陰極可選用鈦或鈦合金板狀電極，電解槽1中陰極與陽極之間的距離為55mm，電解槽1的電流密度為300a/m2。與實施例相結合，圖2示出了本實用新型第二實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統的結構，在實施例的基礎上，第二實施例進一步包括曝氣裝置5，曝氣裝置5通過管道深入到再生液調配缸3的液體中，用于向再生液調配缸3中的電解后液輸送氣體以進行攪拌，以提高整個系統的工作效率。進一步地，與上述、第二實施例相結合，酸性蝕刻液電解后液處理系統還可以包括一后續處理系統，用于向經過再生液調配缸3處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻，然后再打入到子液桶，實現再生液循環利用。以上所述為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。BOE蝕刻液專業生產廠家。電子級BOE蝕刻液聯系方式

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    本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。

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    此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。參照圖1，本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統包括：電解槽1、射流器2、再生液調配缸3、液體泵4，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口，且電解槽1中內置有酸性蝕刻液，電解槽1對該酸性蝕刻液進行電解提銅，產生氯氣，得到電解后液，并且，產生的氯氣通過位于上方的出氣口排出，電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴散管22，混氣室21和擴散管22之間為喉管，混氣室21具有進氣口2a、進液口2b、出液口2c，擴散管22連接至出液口2c，進氣口2a通過導氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴散管22深入到再生液調配缸3中。再生液調配缸3具有進液口和循環出液口，進液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調配缸3的循環出液口，另一端通過管道b連接射流器2的進液口2b，用于將再生液調配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進液口2b。電解槽1電解提銅后，陽極產生的氯氣通過導氣管a進入到射流裝置2的混氣室21內，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。BOE蝕刻液咨詢請咨詢蘇州博洋化學股份有限公司。湖南電子級BOE蝕刻液推薦貨源

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