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來源: 發布時間:2022年06月27日

薄膜法是通過真空鍍膜技術在AlN基板表面實現金屬化。通常采用的真空鍍膜技術有離子鍍、真空蒸鍍、濺射鍍膜等。但金屬和陶瓷是兩種物理化學性質完全不同的材料,直接在陶瓷基板表面進行金屬化得到的金屬化層的附著力不高,并且陶瓷基板與金屬的熱膨脹系數不匹配,在工作時會受到較大的熱應力。為了提高金屬化層的附著力和減小陶瓷與金屬的熱應力,陶瓷基板一般采用多層金屬結構。直接覆銅法(DBC)是一種基于陶瓷基板發展起來的陶瓷表面金屬化方法,基本原理是:在弱氧化環境中,與陶瓷表面連接的金屬銅表面會被氧化形成一層Cu[O]共晶液相,該液相對互相接觸的金屬銅和陶瓷基板表面都具有良好潤濕效果,并在界面處形成CuAlO2等化合物使金屬銅能夠牢固的敖接在陶瓷表面,實現陶瓷表面的金屬化。而AlN基板具有較強的共價鍵,金屬銅直接覆著在其表面的附著力不高,因此必須進行預處理來改善其與Cu的附著力。一般先對其表面進行氧化,生成一層薄Al2O3,通過該氧化層來實現與金屬銅的連接。由于氮化鋁的聲表面波速度高,具有壓電性,可用作聲表面波器件。耐溫氧化鋁廠家電話

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氮化鋁在取向硅鋼二次再結晶中的作用:二次再結晶在取向鋼的制造過程中不可缺少,它是在鋼鐵材料的方向性方面發生的現象。可以這樣形容,在幾乎無方向性的基體中,一粒沙子在一瞬間長大成1立方米大的巖石,其結晶方位大約可達到95%的取向度。在此期問,為了抑制基體的長大,普通的高斯法中,采用MnS、RG和RGH鋼中則利用的是MnSe、Sb,而這里將談談AIN。關于二次再結晶的機理已有很多文獻介紹,這里就A1N的特殊性進行描述。HiB鋼熱軋材中的A1N必須是固溶態或極細小的AIN。具有(100)[001]方位的立方體織構鋼,可以通過對含A1熱軋板進行交叉冷軋得到,這時該鋼種具有以下三個重要的特征。AlN很好是1微米左右粗大尺寸,為此,熱軋時板坯加熱溫度低好,熱軋板的高溫退火對AIN的粗大化有利。采用交叉熱軋,雖然可以進一步提高產生(100)面的機率,但隨著C量的增加,(100)[001]方位即45度立方體的混合比例將增加。耐溫氧化鋁廠家電話若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末,將會提高其商品化程度。

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由于氮化鋁陶瓷基片的特殊技術要求,加上設備投資大、制造工藝復雜,氮化鋁陶瓷基片重點制造技術被日本等國家的幾個大公司掌控。氮化鋁陶瓷基片制備、燒結及后期加工等特殊要求較高,尤其是在產品領域對產品性能、穩定性等要求更高,再加上設備投資大、制造工藝復雜。目前,我國氮化鋁陶瓷基片生產企業缺乏重點技術,再加上我國大多數氮化鋁陶瓷基片生產企業規模較小,研發投入資金有限,技術人員較少且經驗不足,導致我國氮化鋁陶瓷基片整體技術水平較低,產品缺乏競爭力,主要集中在中低端產品。近幾年,中國氮化鋁基板生產企業數量增長趨勢很快,原有企業也積極擴大生產規模。氮化鋁產量不斷增長,增長速度有加快趨勢,但是國內氮化鋁產量仍然不足,不能滿足國內需求,還需要從國外大量進口。

氮化鋁陶瓷的注射成型:陶瓷注射成型技術(CIM)是一種制造復雜形狀陶瓷零部件的新興技術,在制備復雜小部件方面有著其不可比擬的獨特優勢。隨著近年來全球范圍內電子陶瓷產業化規模的不斷擴大,CIM 技術誘人的應用前景更值得期待。該工藝主要包括喂料制備、注射成型、脫脂和燒結。粘結劑是氮化鋁陶瓷粉末的載體,決定了喂料注射成形的流變性能和注射性能。良好的粘結劑可起到形狀維持的作用,且有效減少坯體變形和脫脂缺陷的產生。陶瓷注射成型粘結劑須具備以下條件:流動特性好,注射成型黏度適中,且黏度隨溫度不能波動太大,以減少缺陷產生;對粉體的潤濕性和粘附作用好;具有高導熱性和低熱膨脹系數。 一般由多組分有機物組成,單一有機粘結劑很難滿足流動性要求。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構。

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AlN陶瓷金屬化的方法主要有:厚膜金屬化法是在陶瓷基板上通過絲網印刷形成封接用金屬層、導體(電路布線)及電阻等,通過燒結形成釬焊金屬層、電路及引線接點等。厚膜金屬化的步驟一般包括:圖案設計,原圖、漿料的制備,絲網印刷,干燥與燒結。厚膜法的優點是導電性能好,工藝簡單,適用于自動化和多品種小批量生產,但結合強度不高,且受溫度影響大,高溫時結合強度很低。直接覆銅法利用高溫熔融擴散工藝將陶瓷基板與高純無氧銅覆接到一起,所形成的金屬層具有導熱性好、附著強度高、機械性能優良、便于刻蝕、絕緣性及熱循環能力高的優點,但是后續也需要圖形化工藝,同時對AlN進行表面熱處理時形成的氧化物層會降低AlN基板的熱導率。氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層 。耐溫氧化鋁廠家電話

氮化鋁可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。耐溫氧化鋁廠家電話

AIN氮化鋁陶瓷作為一種綜合性能優良的新型陶瓷材料,因其氮化鋁陶瓷具有優良的熱傳導性,可靠的電絕緣性,低的介電常數和介電損耗,無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性,被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。氮化鋁陶瓷可做成氮化鋁陶瓷基板,被較廣應用到散熱需求較高的領域,比如大功率LED模組,半導體等領域。高性能氮化鋁粉體是制備高熱導率氮化鋁陶瓷基片的關鍵,目前國外氮化鋁粉制造工藝已經相當成熟,商品化程度也很高。但掌握高性能氮化鋁粉生產技術的廠家并不多,主要分布在日本、德國和美國。氮化鋁粉末作為制備陶瓷成品的原料,其純度、粒度、氧含量以及其它雜質的含量都對后續成品的熱導性能、后續燒結,成型工藝有重要影響,是很終成品性能優異與否的基石。耐溫氧化鋁廠家電話

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