電子產品**率密度的迅速提高使得如何有效排熱成為能量存儲技術快速發展的關鍵問題，其中，在熱源和散熱器之間使用的熱界面材料（ＴＩＭ）是熱管理系統的重要因素。ＴＩＭ用于將熱管理系統中的兩種固體材料連接起來，填充它們之間因表面粗糙度不理想而產生的空隙和凹槽，從而起到減小界面熱阻、降低集成電路的平均溫度和熱點溫度的作用。目前**普遍的ＴＩＭ是由填充導熱材料的復合材料組成，但是隨著電子產品微型化、集成化的發展，隨之而來的對小型、柔初且高效散熱ＴＩＭ的需求已經超出了目前ＴＩＭ的能力。因此，人們己經對具有高熱導率、高機械性能的石墨烯／聚合物復合材料、石墨烯涂層等熱管理材料的開發進行了***的研宄。氧化石墨烯顏色為棕黃色，市面上常見的產品有粉末狀、片狀以及溶液狀的。無污染氧化石墨烯粉體

在用氧化還原法將石墨剝離為石墨烯的工業化生產過程中，得到的石墨烯微片富含多種含氧官能團。由于石墨烯片層上的這些缺陷，在一些情況下，石墨烯微片無法滿足某些復合材料在抗靜電或導電、隔熱或導熱等方面的特殊要求。為了修復石墨烯片層上的缺陷，提高石墨烯微片的碳含量和在導電、導熱等方面的性能。通過調控氧化石墨烯的結構，降低氧化程度，降低難分解的芳香族官能團，如內酯、酮羰基、羧基等官能團的含量，從而增加后續官能團分解的效率和降低分解溫度。調控氧化條件，減少面內大面積反應。該減少缺陷的方案，有助于提升還原效率，減少面內難以修復的孔洞，使碳原子排布更密集，進一步減少修復段的勢壘，將能量用于增加碳原子離域尺寸，提升晶元大線，從而提升還原石墨烯的本征導電性。研發了深度還原技術，并通過自主開發的還原設備，將石墨烯微片碳的質量分數提高到90%以上；且粉末電導率相比還原前提升20倍，達到了4000S/m以上。無污染氧化石墨烯粉體石墨烯防腐漿料 與粉料相比，漿料中的石墨烯更易于分散在基體材料中。

在聲學領域，利用石墨烯材料極低的質量密度、極薄的厚度以及極高的機械強度的優異特性，其可作為振膜應用于發聲器件中，可獲得優異的頻譜特性。第六元素研發的石墨烯振膜，經過客戶測試，該石墨烯發聲器件具有非常好的頻譜特性，保真度高。溶劑剝離法的原理是將少量的石墨分散于溶劑中，形成低濃度的分散液，利用超聲波的作用破壞石墨層間的范德華力，此時溶劑可以插入石墨層間，進行層層剝離，制備出石墨烯。此方法不會像氧化-還原法那樣破壞石墨烯的結構，可以制備高質量的石墨烯。在氮甲基吡咯烷酮中石墨烯的產率比較高(大約為8%)，電導率為6500S/m。研究發現高定向熱裂解石墨、熱膨脹石墨和微晶人造石墨適合用于溶劑剝離法制備石墨烯。溶劑剝離法可以制備高質量的石墨烯，整個液相剝離的過程沒有在石墨烯的表面引入任何缺陷，為其在微電子學、多功能復合材料等領域的應用提供了廣闊的應用前景。缺點是產率很低。

光－熱能量轉換是石墨烯相變復合材料目前應用*****的一個領域。楊鳴波教授團隊［６３］通過化學氣相沉積（ＣＶＤ）制備出了具有互連網絡的石墨烯泡沫（ＧＦ），用于制備復合相變材料的三維骨架。研宄發現，這種相變復合材料的熱導率比純相變材料高７４４％，且具有很高的光－熱轉換效率，表明其在太陽能利用和存儲中的巨大潛力。**近，他們團隊［６４］通過冷凍鑄造法制備了三維石墨烯網絡，與聚乙二醇（ＰＥＧ）復合后得到具有出色的形狀穩定性以及高儲能密度的石墨烯相變復合材料。在１００ｍＷｃｎｒ２的模擬太陽光下照射２０分鐘，相變復合材料的溫度迅速升高，比較高可達到約７０°Ｃ，而純ＰＥＧ的溫度*為５５．４°Ｃ，無法完成相變過程。關閉模擬光源后，相變復合材料的溫度急劇下降，當溫度到達結晶點附近時，將出現另一個平臺，**著熱能的釋放過程。實驗結果表明，與純ＰＥＧ相比，石墨烯相變復合材料在光－熱能量轉換方面表現出更優異的性能，有著更好的應用前景。氧化石墨烯可視為一種非傳統型態的軟性材料，具有聚合物、膠體、薄膜，以及兩性分子的特性。

提升材料的分散能力與復合結構制備技術。通過均勻分散與活性材料達到良好的電化學接觸是碳納米管與石墨稀在用作導電添加劑與復合導電結構時發揮性能的關鍵。特別是在鋰硫電池中，一般所制備的碳硫復合電極中碳材料的含量往往超過30%，嚴重影響了所制備硫電極的實際比容量性能，因而需要通過提高碳材料的分散能力與復合電極的制備技術以在高硫負載率下，仍能保證復合電極較高性能的發揮。(3)開發新的應用模式。對碳納米管與石墨烯的應用可不限于其本身，而是通過諸如碳納米管與石墨烯的復合或兩者與其他導電結構的復合，以不同材料間的協同作用來構筑更為完善的導電結構。同時也通過降低碳納米管與石墨烯在電極中的使用量，有效降低材料的應用成本。氧化石墨烯材料可以用于聚合物復合材料的原位聚合。福建氧化石墨烯使用方法

氧化石墨烯結構復雜，制備工藝具有技術壁壘。無污染氧化石墨烯粉體

智能手機、平板電腦等便攜式設備的普及為人們的生活帶來了極大的便利。但是，其中的高速處理器等電子組件會產生不良的電磁能量，這不僅會損害電子組件自身的使用壽命、干擾其他組件的功能，還會對人體健康帶來危害。石墨烯薄膜具有優異的電學性能及熱學性能，被認為是相當有發展前景的超薄電磁屏蔽材料。鄭**教授團隊［５６］通過蒸發自組裝法制備了大面積ＧＯ薄膜。經過石墨化處理后，所得石墨烯薄膜具有出色的性能，其電磁屏蔽性能和面內熱導率分別可達２０ｄＢ、１１００ＷＦｅｎｇＷ等人通過疊層熱壓技術成功制備了含有石墨烯納米片（ＧＮＰ）和Ｎｉ納米鏈的復合膜（ＨＡＭＳ）。通過將Ｎｉ納米鏈和ＧＮＰ選擇性地分布在不同的層中，其比較好電導率、屏蔽效果和面內熱導率分別可以達到７６．８Ｓｍ＇５１．４ｄＢ和８．９６ＷＨ１－１Ｋ－１。無污染氧化石墨烯粉體