微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內置控制器，可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關閉功能，以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點之一是能夠遠程檢查閥門狀態，并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，適用于需要壓力控制的所有加工領域。采用手動調節控制裝置控制，用戶可直接控制閘門的開啟和關閉，以調節壓力。微泰半導體多定位閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。閘閥（gate valve）是一個啟閉件閘板，閘板的運動方向與流體方向相垂直，閘閥只能作全開和全關。閘閥插板閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設置溫度）-規格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動），應用于去除粉末/氣體設備。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。加熱閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。全真空可嵌入閘閥蝶形控制閥閘閥的結構比較簡單，一般由閥體、閥座、閥桿、閘板、閥蓋、密封圈幾部分組成。

微泰半導體閘閥具有獨特的三重保護保護環機能：采用鋁質材料，減輕重量的同時提高保護環內部粗糙度，有效防止工程副產物的堆積黏附；通過提升保護環內部流速設計，且保護環逐步收窄，進一步提升流速，防止粉塵黏附；采用三元系 O 型圈，確保保護環驅動穩定，可保證 30 萬次驅動。該閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥。此閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。

微泰，超高壓閘閥應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? 蝕刻? Diffusion?CVD等設備上。期特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:研發和工業中的UHV隔離。高壓閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管（AM350或STS316L）、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：銅墊圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。閘閥啟閉時較省力。是與截止閥相比而言，因為無論是開或閉，閘板運動方向均與介質流動方向相垂直。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，插板閥，氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥-按產品尺寸和法蘭類型排列-ID為1.5英寸至30英寸，ISO、CF&JIS和ASA法蘭等-現有手動閘閥的鎖定功能（Exist Manual GV of Locking Function）。微泰氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。閘閥的結構長度(系殼體兩連接端面之間的距離)較小。高壓閘閥Global Foundries

微泰，高壓閘閥能應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD。閘閥插板閥

微泰半導體閘閥與其他類型閘閥相比，具有以下一些優勢：1. 高精度控制：能更精確地調節流體流量。2. 適應半導體環境：對溫度、真空等條件有更好的適應性。3. 低顆粒產生：減少對晶圓等的污染。4. 長壽命和可靠性：確保穩定運行，減少維護成本。5. 多功能應用：可適用于多種半導體工藝設備。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。閘閥插板閥