晶間腐蝕常用的試驗方法：硫酸-硫酸銅-銅屑法。適用于檢驗幾乎所有類型的不銹鋼和某些鎳基合金因碳、氮化物析出引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于活化-鈍化區。試驗結果采用彎曲試樣放大鏡下觀察裂紋或金相法評定。此法腐蝕輕微，試驗條件穩定，但判定裂紋需有-定經驗；硝酸法。適用于檢驗不銹鋼、鎳基合金等因碳化物、o相析出或溶質偏析引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于鈍化-過鈍化區。試驗結果采用腐蝕率評定。此法試驗周期長；硝酸-氫氟酸法。適用于檢驗含鉬奧氏體不銹鋼因碳化物析出引起的晶問腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于活化-鈍化區。此法試驗周期短，但腐蝕嚴重。試驗結果須采用同種材料敏化和固溶試樣的腐蝕率比值評定。晶間腐蝕，可連接循環冷凝水，不依賴外來水源，使冷凝水得到多次利用。山東低倍加熱腐蝕經濟實用

電解拋光腐蝕，顯示鋼的顯微組織的電解浸蝕劑及電解拋光液表

晶間腐蝕，安裝方法，腐蝕機臺安裝：將支撐桿固定在機臺上，螺紋旋緊。在將十字架與燒瓶夾及傳感器放置架固定在支撐桿上。放置燒瓶放在加熱器上，調整好燒瓶夾位置，然后固定好燒瓶。然后將冷凝器插入燒瓶上口，調整好燒瓶夾位置將其固定。連接冷凝器的進出水管，進水管一端連接在進水閥門上，另一端連接在冷凝器下端接口，排水管一端連接在排水閥對應的接頭上，另一端連接至冷凝器上端接口，管路連接可靠，排布好看，進水管應留長，避免取燒瓶時不能移動冷凝器。安裝主進水管和排水管，先將排水管固定到排水接口，擰緊管箍，在將進水管固定到進水接口，另一端固定到水龍頭。（可選擇接頭和4分接口接頭）；然后通水，檢測是否有漏水，若有及時處理。

晶間腐蝕，貧化理論：對于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會析出第二相，導致晶界附近某種成分出現貧乏化。以奧氏體不銹鋼為例，具體過程如下：碳化物析出：當溫度升高時，碳在不銹鋼晶粒內部的擴散速度大于鉻的擴散速度。室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值，多余的碳會不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區形成：鉻沿晶界擴散的速度比在晶粒內擴散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內部的鉻來不及向晶界擴散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來自晶界附近，結果使晶界附近的含鉻量大為減少。當晶界的鉻的質量分數低到小于時，就形成 “貧鉻區”。電解拋光腐蝕，可控制樣品的拋光/腐蝕面積（樣品罩開孔直徑15mm，20mm，30mm）。

電解拋光腐蝕，該電源是高穩定度的穩壓穩流自動轉換的高精度穩壓電源。輸出電壓能夠從零到標稱值內任意選擇,  而且在穩壓狀態時限流保護點也可任意設定。在穩流狀態時，穩流輸出電流在額定范圍內連續可調。輸出電壓、輸出電流指示為3位半LED數碼顯示。電源是由整流及濾波電路,輔助電源及基準電壓電路，電壓電流取樣檢測電路，比較放大電路，單片機控制電路以及調整電路等組成。當輸出電壓由于電源電壓或負載電流變化引起變動時，則變動的信號經電壓取樣電路與基準電壓相比較，其所得誤差信號經比較放大后，由單片機控制系統控制調整電路使輸出電壓高速調整為給定值。從而達到高穩定輸出的目的。電解拋光腐蝕，既可用于金相試樣的拋光，也可用于金相試樣的腐蝕。江蘇鹽酸腐蝕企業

晶間腐蝕，溫度可選擇控制溶液溫度，更精確。山東低倍加熱腐蝕經濟實用

低倍組織熱腐蝕，測試目的：通過宏觀檢驗發現鋼中的缺陷及不均勻性，如：疏松、氣泡、白點、翻皮、偏析、殘余縮孔等。這些缺陷及不均勻性的存在將會導致鋼材的機械性能、物理性能的降低，所以低倍檢查在產品驗收、新品試制、工藝調整與控制方面占有十分重要的地位。項目介紹：低倍組織檢驗是用肉眼或放大適當的倍數來觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測方法。低倍檢驗常用的方法有酸蝕、斷口形貌、硫印、塔形發紋等，其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法，如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗所需設備簡單，操作簡便迅速結果直觀，易于掌握。山東低倍加熱腐蝕經濟實用