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CVD閘閥英菲尼亞半導體

來源: 發布時間:2024年06月14日

微泰,三重防護閘閥、三防閘閥,應用于? Evaporation? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD? 涂層? Etch? Diffusion?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。微泰三重防護閘閥、三防閘閥其特點是? 閥門控制器(1CH ~ 4CH)? 應用:半導體生產線中粉末和氣體等副產品的處理,防止回流。三重防護閘閥、三防閘閥規格如下:操作:氣動、法蘭尺寸(內徑) 2.5? ~ 10?、法蘭類型ISO,KF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型環/Kalrez O型環、閥蓋密封:Viton O型圈、響應時間:≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作壓力范圍: 1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、閘門上的壓差; 1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10-10 mbar ?/sec、維護前可用次數:200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,上海安宇泰環保科技有限公司。微泰控制系統閥門是安裝在半導體CVD設備中的主要閥門。控制系統閥門起到調節腔內壓力的作用。CVD閘閥英菲尼亞半導體

閘閥

微泰,高壓閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵。高壓閘閥規格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 14英寸、法蘭類型:CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數:250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,上海安宇泰環保科技有限公司。CVD閘閥英菲尼亞半導體這些真空閥可以手動、氣動或電子方式驅動,從而可以根據具體應用進行多功能控制。

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微泰半導體閘閥的特點,首先介紹一下起三重保護的保護環機能,采用鋁質材料減少重量,并提高保護環的內部粗糙度,防止工程副產物堆積黏附。提升保護環內部流速設計,保護環逐步收窄,提升流速,防止粉塵黏附。采用三元系O型圈,保證保護環驅動穩定(保證30萬次驅動)。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司。真空閘閥由一個滑動門或板組成,可以移動以阻止或允許通過真空閥體,從而有效地將腔室與外部環境隔離。

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微泰,大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發和工業的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規格如下:驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內徑):16? ~ 30?、 法蘭型:ISO、JIS、ASA 、饋通:Viton O-Rin、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:可調節、工作壓力范圍:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數:10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,上海安宇泰環保科技有限公司。 微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥,三重防護閘閥應用于? Evaporation(蒸發)等設備。CVD閘閥英菲尼亞半導體

微泰閘閥可替代HVA閘閥、VAT閘閥。CVD閘閥英菲尼亞半導體

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥,應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。這節介紹加熱閘閥、加熱式閘閥護套、加熱器插入式閥門。帶加熱器閘閥,加熱器插入閘閥:產品范圍:2~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數:20萬次?響應時間:0.2秒~3秒;客戶指定法蘭,加熱溫度:450℃;蝶形閥;蝶閥:產品范圍:DN40、DN50隔離?泄漏率:1.0E-9mbar·l/秒;有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司CVD閘閥英菲尼亞半導體

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