微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。這節介紹加熱閘閥、加熱式閘閥護套、加熱器插入式閥門。帶加熱器閘閥，加熱器插入閘閥：產品范圍：2~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數：20萬次?響應時間：0.2秒~3秒；客戶指定法蘭，加熱溫度：450℃；蝶形閥；蝶閥：產品范圍：DN40、DN50隔離?泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發）等設備。專門用閘閥蝶形控制閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥蝶閥Butterfly Valve。該蝶閥具有緊湊的設計和堅固的不銹鋼結構，通過閘板旋轉操作。蝶閥可以實現精確的壓力控制和低真空環境。例如半導體和工業過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力。可以在高真空環境中實現精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用。控制系統閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。定制閘閥I型轉移閥微泰，高壓閘閥能應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD。

微泰，專門用閘閥應用于? Evaporation? Sputtering? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating? Etch? Diffusion（擴散）?CVD等設備上。可替代VAT閘閥。期特點是*使用維修配件工具包易于維護*將電磁閥和位置傳感器連接到15針D-Sub*鎖定功能*限位開關*?速度控制器&電磁閥（2Port+N2Port）用不銹鋼管連接（φ6）*應用:泵隔離,產品工藝水平要求高的地方。專門用閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸：4英寸~ 8英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：4? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體業績。

微泰，超高壓閘閥應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? 蝕刻? Diffusion?CVD等設備上。期特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:研發和工業中的UHV隔離。高壓閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管（AM350或STS316L）、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：銅墊圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。關閉真空閥涉及將閘門移動穿過流路以形成密封。

微泰半導體閘閥具有諸多特點：其閥門驅動部分的所有滾子和軸承都經過精心防護處理，形成屏蔽和保護環（Shield Blocker 和 Protection Ring），通過三重預防方式有效切斷粉末（Powder），從而延長閥門驅動及使用壽命。該閘閥采用的三重預防驅動方式中的 Shield 功能，能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內部，同時具備三重保護驅動保護環，可延長 GV 壽命的 Shield 方法，并已供應給海外半導體 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 設備。此外，擋板與閥體之間的距離小于 1mm，能夠強力阻擋內部粉末和氣體的流入，屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成，充分考慮了其復原力，并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護保護環的主要功能則包括：AL 材料的重量減輕和保護環內部照明的改善、保護環內部流速的增加以及三元環的應用確保了驅動性能的提升。真空閘閥通過使用滑動閘門機構來控制氣體的通過。VAT閘閥I型轉移閥

用真空閘閥時，應考慮與工藝氣體的兼容性、工作壓力范圍、循環速度和維護要求等因素。專門用閘閥蝶形控制閥

微泰半導體閘閥具有獨特的三重保護保護環機能：采用鋁質材料，減輕重量的同時提高保護環內部粗糙度，有效防止工程副產物的堆積黏附；通過提升保護環內部流速設計，且保護環逐步收窄，進一步提升流速，防止粉塵黏附；采用三元系 O 型圈，確保保護環驅動穩定，可保證 30 萬次驅動。該閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥。此閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。專門用閘閥蝶形控制閥