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超高壓閘閥AKT

來源: 發布時間:2024年08月27日

微泰,加熱閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*使用加熱套或內部加熱器加熱*加熱控制器*應用:去除粉末/氣體設備。加熱閘閥規格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:ISO、JIS、ASA、CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數:200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。真空閘閥廣泛應用于各種真空系統和工藝過程中,如半導體生產、電子設備制造、科研實驗、航空航天等領域。超高壓閘閥AKT

閘閥

微泰半導體閘閥的特點:閥門驅動部分的所有滾子和軸承都進行了防護處理,形成屏蔽和保護環(Shield Blocker 和 Protection Ring)用三重預防方式切斷粉末(Powder),延長閥門驅動和使用壽命。三重預防驅動方式的Shield功能可防止氣體和粉末侵入閥體內部,有三重保護驅動保護環,長久延長GV壽命的Shield方法-供應給海外半導體T公司、M公司和I公司Utility設備。擋板與閥體的距離小于1mm,阻擋內部粉末和氣體的流入,屏蔽擋板是采用1.5 t AL材料,考慮了復原力,并采用Viton粉末熱壓制成。三重保護保護環的主要功能說明-AL材料的重量減輕和保護環內部照明的改善-保護環內部流速的增加-三元環應用確保驅動性能。定制閘閥插板閥真空閘閥對于隔離不同的真空室、控制工藝過程中的氣流以及在不影響真空環境的情況下促進維護或維修很重要。

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微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve,加熱插板閥,加熱閘閥,加熱器的加熱溫度為180-200度(可通過控制器設置溫度)-規格:適用雙金屬(達到200度時,斷電后溫度下降后重新啟動),應用于去除粉末/氣體設備。微泰,加熱閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。加熱閘閥規格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:ISO、JIS、ASA、CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數:200,000次、、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。

微泰,鋁閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。期特點是*不論什么工藝的設備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵。鋁閘閥規格如下:驅動方式:手動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 10英寸、閥體:AL6061 (Anodizing)、機械裝置:AL6061 (Anodizing)、閥門:O型圈(VITON)、真空密封:O型圈(VITON)、響應時間≤ 3 sec、驅動器:氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍:< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差:≤ 30 mbar、初次維護前可用次數100,000次、閥體溫度≤ 120 °執行機構溫度≤ 60 °C、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。可替代VAT閥門。閘閥通過閥座和閘板接觸進行密封,通常密封面會堆焊金屬材料以增加耐磨性。

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微泰半導體閘閥的特點:插板閥主滑閥的球機構方式-在量產工藝設備上的性能驗證-由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成,陶瓷和金屬觸摸驅動無顆粒-已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備,設備廠批量供貨,已得到品質認可,已完成對半導體Utility設備和批量生產設備的驗證,而其他廠家閘閥金屬和金屬觸摸驅動產生大量顆粒。使用鋼陶瓷球,與金屬摩擦時不會損壞,金屬與陶瓷球之間不會產生Particle,半永久板簧(SUS鋼板)的應用確保閥門驅動同步性,采用了固定球導向器和鋼陶瓷。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司。金屬閥體襯里高壓閥門主要有襯膠閥門、襯氟閥門、襯鉛閥門、襯塑閥門、襯搪瓷閥門。定制閘閥手動閥

當真空閥打開時,閘門移出流路,使氣體以高電導率通過。超高壓閘閥AKT

微泰,蝶閥應用于? Evaporation(蒸發)? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。微泰蝶閥其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 高性能集成控制器? 使用維修零件套件輕松維護? 應用:半導體和工業過程的壓力控制。蝶閥規格如下:法蘭尺寸(內徑):DN40、DN50、饋通:旋轉饋通、閥門密封:FKM(VITON)、執行器:步進電機、壓力范圍:1×10-8 mbar to 1200 mbar 、開啟壓差:≤ 30 mbar、開啟壓差≤30mbar、氦泄漏率1X10 -9Mbar/秒、維護前可用次數:250,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤ 35 °C、材料:閥體STS304/機制STS304、安裝位置:任意、接口:RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績,上海安宇泰環保科技有限公司。超高壓閘閥AKT

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