微泰，大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸（內徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：可調節(jié)、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數(shù)：10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。 微泰，高壓閘閥應用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。加熱閘閥L型轉移閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，晶圓輸送閥Transfer Valve，傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。I型輸送閥，-閘門動作時無震動或沖擊-通過饋通波紋管Feedthrough bellows防止閥體污染，確保高耐用性-采用LM導軌和單鏈路（LM-guide&Single Link）結構/小齒輪驅動方式，使其具有簡單的運動、耐用性和高精度。I型輸送閥有爪式（Jaw type）和夾式（Clamp type）。微泰晶圓輸送閥Transfer Valve，傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥Butterfly Valve有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。鋁閘閥角控制閥非金屬材料高壓閘閥有陶瓷閥門、玻璃閥門、塑料閥門。

微泰控制系統(tǒng)閥門是安裝在半導體CVD設備中的主要閥門。控制系統(tǒng)閥門起到調節(jié)腔內壓力的作用，通過控制系統(tǒng)自動調節(jié)閘板的開啟和關閉。精確控制腔內壓力的閥門分為三類：控制系統(tǒng)閘閥、蝶閥、多定位閘閥。控制系統(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作，而多定位閘閥使用氣動控制操作。一、控制系統(tǒng)閘閥。控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用。控制系統(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。二、蝶閥。該蝶閥具有緊湊的設計和堅固的不銹鋼結構，通過閘板旋轉操作。蝶閥可以實現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導體和工業(yè)過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力。三、多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內置控制器，可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關閉功能，以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。

微泰，鋁閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。期特點是*不論什么工藝的設備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下：驅動方式：手動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing)、機械裝置：AL6061 (Anodizing)、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、響應時間≤ 3 sec、驅動器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差：≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構溫度≤ 60 °C、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。可替代VAT閥門。高壓閘閥只許介質單向流動，安裝時有方向性。它的結構長度大于閘閥，同時流體阻力大。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，控制系統(tǒng)閘閥，控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用。控制系統(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。精確控制腔內壓力的閥門分為三類：控制系統(tǒng)閘閥、蝶閥、多定位閘閥。化學氣相沉積閘閥AKT

用真空閘閥時，應考慮與工藝氣體的兼容性、工作壓力范圍、循環(huán)速度和維護要求等因素。加熱閘閥L型轉移閥

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動），應用于去除粉末/氣體設備。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。加熱閘閥規(guī)格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。加熱閘閥L型轉移閥