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韓國技術(shù)閘閥角控制閥

來源: 發(fā)布時間:2024年09月07日

微泰半導體閘閥的特點:插板閥主滑閥的球機構(gòu)方式-在量產(chǎn)工藝設(shè)備上的性能驗證-由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成,陶瓷和金屬觸摸驅(qū)動無顆粒-已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備,設(shè)備廠批量供貨,已得到品質(zhì)認可,已完成對半導體Utility設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗證,而其他廠家閘閥金屬和金屬觸摸驅(qū)動產(chǎn)生大量顆粒。使用鋼陶瓷球,與金屬摩擦時不會損壞,金屬與陶瓷球之間不會產(chǎn)生Particle,半永久板簧(SUS鋼板)的應(yīng)用確保閥門驅(qū)動同步性,采用了固定球?qū)蚱骱弯撎沾?。微泰半導體閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。控制系統(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值,通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。韓國技術(shù)閘閥角控制閥

閘閥

微泰,鋁閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上。期特點是*不論什么工藝的設(shè)備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應(yīng)用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:手動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 10英寸、閥體:AL6061 (Anodizing)、機械裝置:AL6061 (Anodizing)、閥門:O型圈(VITON)、真空密封:O型圈(VITON)、響應(yīng)時間≤ 3 sec、驅(qū)動器:氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍:< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差:≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。可替代VAT閥門。韓國技術(shù)閘閥角控制閥控制系統(tǒng)閘閥??刂葡到y(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動方式操作,可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。

韓國技術(shù)閘閥角控制閥,閘閥

微泰,傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥應(yīng)用于晶圓加工,半導體加工,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計? 使用維修配件工具包易于維護? 應(yīng)用:半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (I-MOTION)、右動轉(zhuǎn)換閥、驅(qū)動方式:氣動、法蘭尺寸(內(nèi)徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應(yīng)時間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數(shù): ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,蝶閥,Butterfly Valve產(chǎn)品范圍:DN40 ~ 50 -壓力控制-使用步進電機- Product Range : DN40 ~ 50- Pressure Controlled- Using Stepper Motor,- Compatible with VAT Butterfly Control Valve, series61.2 - Application Process : PVD, CVD, Etching, Diffusion-使用步進電機和控制器執(zhí)行驅(qū)動。-通過步進電機/控制器精確定位,確保精確的壓力控制。-兼容VAT蝶閥控制器,系列61.2,-應(yīng)用工藝: PVD,CVD,蝕刻,擴散。微泰蝶閥Butterfly Valve有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。高壓閘閥,屬于強制密封式閥門,所以在閥門關(guān)閉時,必須向閘板施加壓力,以強制密封面不泄漏。

韓國技術(shù)閘閥角控制閥,閘閥

微泰,大閘閥、大型閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應(yīng)用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:氣動、法蘭尺寸(內(nèi)徑):16? ~ 30?、 法蘭型:ISO、JIS、ASA 、饋通:Viton O-Rin、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應(yīng)時間:可調(diào)節(jié)、工作壓力范圍:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數(shù):10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。 控制系統(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作,而多定位閘閥使用氣動控制操作。多定位閘閥L型轉(zhuǎn)移閥

閘閥的結(jié)構(gòu)緊湊,閥門剛性好,通道流暢,流阻數(shù)小,密封面采用不銹鋼和硬質(zhì)合金,使用壽命長。韓國技術(shù)閘閥角控制閥

微泰半導體閘閥的特點:閥門驅(qū)動部分的所有滾子和軸承都進行了防護處理,形成屏蔽和保護環(huán)(Shield Blocker 和 Protection Ring)用三重預防方式切斷粉末(Powder),延長閥門驅(qū)動和使用壽命。三重預防驅(qū)動方式的Shield功能可防止氣體和粉末侵入閥體內(nèi)部,有三重保護驅(qū)動保護環(huán),長久延長GV壽命的Shield方法-供應(yīng)給海外半導體T公司、M公司和I公司Utility設(shè)備。擋板與閥體的距離小于1mm,阻擋內(nèi)部粉末和氣體的流入,屏蔽擋板是采用1.5 t AL材料,考慮了復原力,并采用Viton粉末熱壓制成。三重保護保護環(huán)的主要功能說明-AL材料的重量減輕和保護環(huán)內(nèi)部照明的改善-保護環(huán)內(nèi)部流速的增加-三元環(huán)應(yīng)用確保驅(qū)動性能。韓國技術(shù)閘閥角控制閥

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