微泰，蝶閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。微泰蝶閥其特點是? 主體材料：鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計? 高性能集成控制器? 使用維修零件套件輕松維護? 應用：半導體和工業(yè)過程的壓力控制。蝶閥規(guī)格如下：法蘭尺寸(內(nèi)徑)：DN40、DN50、饋通：旋轉(zhuǎn)饋通、閥門密封：FKM（VITON）、執(zhí)行器：步進電機、壓力范圍：1×10-8 mbar to 1200 mbar 、開啟壓差：≤ 30 mbar、開啟壓差≤30mbar、氦泄漏率1X10 -9Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：250,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤ 35 °C、材料：閥體STS304/機制STS304、安裝位置：任意、接口：RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。真空閘閥對于隔離不同的真空室、控制工藝過程中的氣流以及在不影響真空環(huán)境的情況下促進維護或維修很重要。蒸發(fā)閘閥AKT

微泰半導體閘閥具有獨特的三重保護保護環(huán)機能：采用鋁質(zhì)材料，減輕重量的同時提高保護環(huán)內(nèi)部粗糙度，有效防止工程副產(chǎn)物的堆積黏附；通過提升保護環(huán)內(nèi)部流速設(shè)計，且保護環(huán)逐步收窄，進一步提升流速，防止粉塵黏附；采用三元系 O 型圈，確保保護環(huán)驅(qū)動穩(wěn)定，可保證 30 萬次驅(qū)動。該閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥。此閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。蒸發(fā)閘閥AKT微泰控制系統(tǒng)閥門是安裝在半導體CVD設(shè)備中的主要閥門。控制系統(tǒng)閥門起到調(diào)節(jié)腔內(nèi)壓力的作用。

微泰，傳輸閥 (L-MOTION)、L型轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥應用于晶圓加工，半導體加工，可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料：鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用：半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離，傳輸閥 (L-MOTION)、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥規(guī)格如下：閘門密封類型：傳輸閥 (L-MOTION)、左動轉(zhuǎn)換閥、驅(qū)動方式：氣動、法蘭尺寸（內(nèi)徑） 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式：焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、工作壓力范圍：1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差：≤ 30 mbar、開啟時壓差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼：< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁：< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數(shù)： ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。

微泰，控制系統(tǒng)閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材質(zhì)：不銹鋼? 緊湊型設(shè)計? 帶步進電機的集成壓力控制器? 應用：需要壓力控制和隔離的地方。控制系統(tǒng)閘閥規(guī)格如下：法蘭尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：閥體(STS304)/機構(gòu)STS304、STS420、饋通：旋轉(zhuǎn)饋通、執(zhí)行器：步進電機、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、壓力范圍：1×10-8 mbar to 1.4 bar、閘門上的壓差≤1.4bar、維護前可用次數(shù)：100,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤35°C、安裝位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。閘閥不易產(chǎn)生水錘現(xiàn)象。原因是關(guān)閉時間長。

微泰半導體閘閥與其他類型閘閥相比，具有以下一些優(yōu)勢：1. 高精度控制：能更精確地調(diào)節(jié)流體流量。2. 適應半導體環(huán)境：對溫度、真空等條件有更好的適應性。3. 低顆粒產(chǎn)生：減少對晶圓等的污染。4. 長壽命和可靠性：確保穩(wěn)定運行，減少維護成本。5. 多功能應用：可適用于多種半導體工藝設(shè)備。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）等設(shè)備。韓國技術(shù)閘閥AKT

介質(zhì)可向兩側(cè)任意方向流動，易于安裝。閘閥通道兩側(cè)是對稱的。蒸發(fā)閘閥AKT

微泰，鋁閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。期特點是*不論什么工藝的設(shè)備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing)、機械裝置：AL6061 (Anodizing)、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、響應時間≤ 3 sec、驅(qū)動器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差：≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。可替代VAT閥門。蒸發(fā)閘閥AKT