微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，有氣動多位置閘閥（氣動多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position）、氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥，蝶閥，Butterfly Valve，步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve，加熱插板閥（加熱閘閥Heating gate valve），鋁閘閥（AL Gate Valve），三重防護閘閥，應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。金屬材料高壓閘閥主要有：碳鋼閥門、合金鋼閥門、不銹鋼閥門、鑄鐵閥門、鈦合金閥門、銅合金閥門等。超真空閘閥SHIELD GATE VALVE

微泰，三重防護閘閥、三防閘閥，應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD? 涂層? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。微泰三重防護閘閥、三防閘閥其特點是? 閥門控制器（1CH ~ 4CH）? 應用：半導體生產線中粉末和氣體等副產品的處理，防止回流。三重防護閘閥、三防閘閥規格如下：操作：氣動、法蘭尺寸（內徑） 2.5? ~ 10?、法蘭類型ISO，KF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型環/Kalrez O型環、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作壓力范圍： 1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、閘門上的壓差； 1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ?/sec、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。UHV閘閥氣動閥正確安裝、定期維護以及遵守制造商指南對于這些閥門的性能發揮和使用壽命至關重要。

微泰半導體閘閥的特點，首先介紹一下起三重保護的保護環機能，采用鋁質材料減少重量，并提高保護環的內部粗糙度，防止工程副產物堆積黏附。提升保護環內部流速設計，保護環逐步收窄，提升流速，防止粉塵黏附。采用三元系O型圈，保證保護環驅動穩定（保證30萬次驅動）。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司。

微泰，三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應用于? 蒸發?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴散?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*3個位置功能-閥門打開,閥門關閉,第3位置*設備可通過連接到閥門的9 Pin D-Sub來讀取閥門狀態*手動和氣動閥門組合*應用:需要壓力控制的任何其他過程*應用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績控制系統閘閥。控制系統閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環境中實現精確的壓力控制。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，插板閥，氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥-按產品尺寸和法蘭類型排列-ID為1.5英寸至30英寸，ISO、CF&JIS和ASA法蘭等-現有手動閘閥的鎖定功能（Exist Manual GV of Locking Function）。微泰氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。閘閥不易產生水錘現象。原因是關閉時間長。超真空閘閥SHIELD GATE VALVE

高壓閘閥，屬于強制密封式閥門，所以在閥門關閉時，必須向閘板施加壓力，以強制密封面不泄漏。超真空閘閥SHIELD GATE VALVE

微泰高壓閘閥可以應用于多種設備，如蒸發、濺射、金剛石生長、PECV、PVD集群、卷對卷、涂層、蝕刻、擴散和CVD等。它具有陶瓷球機構產生的低顆粒和易于維護等特點，可替代VAT閘閥。該閥門的規格包括手動或氣動驅動方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸、CF法蘭類型、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM閥門密封、氟橡膠O型圈閥蓋密封、≤2秒響應時間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar，8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的開始時壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門差動壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門差動壓力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次維護前可用次數、閥體溫度≤200°、機構溫度≤80°C、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅動器鋁6061陽極氧化、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力。此外，微泰高壓閘閥已在中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其他設備上得到應用。如果您需要了解更多關于微泰高壓閘閥的信息，請聯系上海安宇泰環保科技有限公司。超真空閘閥SHIELD GATE VALVE