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來源: 發(fā)布時間:2025年06月11日

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的,嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR (通常稱為DDR1)接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展,現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布,甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 為什么要進(jìn)行DDR3一致性測試?河北DDR3測試銷售

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DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ,簡稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度,它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù),因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍,至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同,仍在時鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng),總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號線以及時鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整,但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整,例如,可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),地址和控制總線是單向信號,只能從控制器傳向存儲芯片,而數(shù)據(jù)信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號線除了用來尋址以外,還被用做控制命令的一部分,因此,地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到,DDR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作,就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 河北DDR3測試銷售如果DDR3一致性測試失敗,是否需要更換整組內(nèi)存模塊?

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有其特殊含義的,也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中,很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中,所有信號都是DDR控制器輸出的,而DQS和DQ信號相差90°相位,因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下,對DQ和DM信號進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中,所有信號是DDR芯片輸出的,并且DQ和DQS信號是同步的,都是和時鐘沿對齊的!這時候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣,DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單,是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端,從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計(jì)變得簡單而廉價。因此,對于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言,信號完整性仿真和分析的大部分工作,實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性。

每個 DDR 芯片獨(dú)享 DQS,DM 信號;四片 DDR 芯片共享 RAS#,CAS#,CS#,WE#控制信號?!DR 工作頻率為 133MHz?!DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA,型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設(shè)計(jì)需求之后,我們首先要進(jìn)行器件選型,然后根據(jù)所選的器件,準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來講,對于經(jīng)過選型的器件,為了使用這個器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì),需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet:這個是必須要有的。如果沒有器件手冊,是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過選型的器件,設(shè)計(jì)工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊)。 DDR3一致性測試需要運(yùn)行多長時間?

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"DDRx"是一個通用的術(shù)語,用于表示多種類型的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數(shù)字,了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同,以適應(yīng)不斷增長的計(jì)算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn):DDR2:DDR2是第二代DDR技術(shù),相比于DDR,它具有更高的頻率和帶寬,以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能,如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電(prefetch)。DDR3:DDR3是第三代DDR技術(shù),進(jìn)一步提高了頻率和帶寬,并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量,可以支持更多的內(nèi)存。DDR4:DDR4是第四代DDR技術(shù),具有更高的頻率和帶寬,較低的電壓和更高的密度。DDR4內(nèi)存模塊相對于之前的DDR3模塊來說,能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)都會有自己的規(guī)范和時序要求,以確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術(shù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器、嵌入式設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,能夠提供快速和高效的數(shù)據(jù)訪問和處理能力。DDR3內(nèi)存的一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境?河北DDR3測試銷售

DDR3一致性測試期間可能發(fā)生的常見錯誤有哪些?河北DDR3測試銷售

使用了一個 DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例,來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個 DDR 存儲系統(tǒng),包括從系統(tǒng)性能分析,資料準(zhǔn)備和整理,仿真模型的驗(yàn)證和使用,布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,一直到的 PCB 布線完成,一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展,DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變,DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰,而 DDR3 是目前存儲系統(tǒng)的主流技術(shù)。

并且,隨著設(shè)計(jì)水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,大多數(shù)工程師都已經(jīng)對如何設(shè)計(jì)一個 DDR 系統(tǒng)不再陌生,基本上按照通用的 DDR 設(shè)計(jì)規(guī)范或者參考案例,在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下,都能夠一次成功設(shè)計(jì)出可以「運(yùn)行」的 DDR 系統(tǒng),DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是,隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升,又給 DDR3 的設(shè)計(jì)者帶來了另外一個難題,那就是系統(tǒng)時序不穩(wěn)定。因此,基于這樣的現(xiàn)狀,在本書的這個章節(jié)中,著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化,以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù),也就是說,在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)難題的情況下,如何通過布線后仿真,驗(yàn)證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問題。 河北DDR3測試銷售

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