重復以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。

3.分配互連模型有3種方法可設置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數模型分配給相應模塊；第2種是根據疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關聯，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3一致性測試期間可能發生的常見錯誤有哪些？自動化DDR3測試HDMI測試

"DDRx"是一個通用的術語，用于表示多種類型的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數字，了不同的DDR代數。每一代的DDR標準在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應不斷增長的計算需求和技術發展。下面是一些常見的DDR標準：DDR2：DDR2是第二代DDR技術，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術和功能，如多通道架構和前瞻性預充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術，進一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內存。DDR4：DDR4是第四代DDR技術，具有更高的頻率和帶寬，較低的電壓和更高的密度。DDR4內存模塊相對于之前的DDR3模塊來說，能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標準都會有自己的規范和時序要求，以確保DDR內存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術在計算機系統、服務器、嵌入式設備等領域廣泛應用，能夠提供快速和高效的數據訪問和處理能力。自動化DDR3測試HDMI測試如何解決DDR3一致性測試期間出現的錯誤？

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境，可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，

單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。

DDR信號的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發現沒有?對于一般信號而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經發現，是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的。這是因為，在DDR中，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時間的積分值，就是能量!因此，對于DDR信號而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的，而且能量信號這個特性，會延續在所有的DDRx系統當中，我們會在DDR2和DDR3的信號體制中，更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統含義。當然，除了能量的累積不能超過AC規范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3一致性測試可以幫助識別哪些問題？

DDR3信號質量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質量問題也會變得突出。比如DDR1的數據信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內部ODT；對于多負載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅動能力的選擇等方面，可以通過仿真 來得到正確驅動和端接，使DDR工作時信號質量改善，從而增大DDRI作時序裕量。是否可以使用多個軟件工具來執行DDR3內存的一致性測試？自動化DDR3測試HDMI測試

DDR3一致性測試是否適用于超頻內存模塊？自動化DDR3測試HDMI測試

DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響，仿真驅動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。 自動化DDR3測試HDMI測試