LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,I/O 口工作電壓為 1.2V;時 鐘信號頻率為166?533MHz;數據和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣;控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣;一般用于板載(Memory?down)設計,信號通常為點對點或樹形拓撲,沒有ODT功能。
LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口,I/O 口工作電壓為1.2V; 時鐘信號頻率為667?1066MHz;數據和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣;控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣;一般用于板載設計,數據信號一般為點對點拓撲,命令地址和控制信號一般也釆用 Fly-by走線,有些情況下可以使用樹形走線;數據和選通信號支持ODT功能;也支持使用 Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間的延時偏移。 DDR3一致性測試期間會測試哪些方面?浙江DDR3測試銷售
單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環境,可以按前面161節反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。
在提取出來的拓撲中,設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數,
單擊OK按鈕退出參數設置窗口,單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析,
在波形顯示界面里,只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到,差分時鐘波形邊沿正常,有一些反射。
原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除,再次仿真,只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看,可以看到, 時鐘信號完全不能工作。 陜西DDR3測試芯片測試如何監控DDR3內存模塊的溫度進行一致性測試?
DDR3拓撲結構規劃:Fly?by拓撲還是T拓撲
DDR1/2控制命令等信號,均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升,當負 載較多如多于4個負載時,T拓撲信號質量較差,因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時,T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響,仿真驅動芯片為Altera芯片,IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒,IBIS模型文件為。
分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖,可以看到2片負載 時,Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯,因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。
時序要求:DDR系統中的內存控制器需要遵循DDR規范中定義的時序要求來管理和控制內存模塊的操作。時序要求包括初始時序、數據傳輸時序、刷新時序等,確保內存模塊能夠按照規范工作,并實現穩定的數據傳輸和操作。容量與組織:DDR系統中的內存模塊可以有不同的容量和組織方式。內存模塊的容量可以根據規范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。內存模塊通常由多個內存芯片組成,每個內存芯片被稱為一個芯粒(die),多個芯粒可以組成密集的內存模塊。兼容性:DDR技術考慮了兼容性問題,以確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DDR模式下工作。DDR3內存的一致性測試可以修復一致性問題嗎?
高速DDRx總線概述
DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎上改進而來的,嚴格地說DDR應該叫作DDR SDRAM,人們習慣稱之為DDR。
DDRx發展簡介
代DDR (通常稱為DDR1)接口規范于2000年由JEDEC組織 發布。DDR經過幾代的發展,現在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規范也巳經發 布,甚至出現了部分DDR4的產品。Cadence的系統仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準確性?浙江DDR3測試銷售
DDR3內存有哪些常見的容量大小?浙江DDR3測試銷售
單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網絡走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對應的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。
單擊Impedance Table,可以詳細查看各個網絡每根走線詳細的阻抗相關信息,內 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發送端器件的距離、走 線延時,
單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 浙江DDR3測試銷售