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解決方案DDR一致性測(cè)試熱線

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023年06月11日

由于讀/寫時(shí)序不一樣造成的另一個(gè)問題是眼圖的測(cè)量。在DDR3及之前的規(guī)范中沒 有要求進(jìn)行眼圖測(cè)試,但是很多時(shí)候眼圖測(cè)試是一種快速、直觀衡量信號(hào)質(zhì)量的方法,所以 許多用戶希望通過眼圖來評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。而對(duì)于DDR4的信號(hào)來說,由于時(shí)間和幅度的余量更小,必須考慮隨機(jī)抖動(dòng)和隨機(jī)噪聲帶來的誤碼率的影響,而不是做簡(jiǎn)單的建立/保  持時(shí)間的測(cè)量。因此在DDR4的測(cè)試要求中,就需要像很多高速串行總線一樣對(duì)信號(hào)疊加  生成眼圖,并根據(jù)誤碼率要求進(jìn)行隨機(jī)成分的外推,然后與要求的小信號(hào)張開窗口(類似  模板)進(jìn)行比較。圖5 . 8是DDR4規(guī)范中建議的眼圖張開窗口的測(cè)量方法(參考資料: JEDEC     STANDARD    DDR4     SDRAM,JESD79-4)。DDR2 和 LPDDR2 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。解決方案DDR一致性測(cè)試熱線

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DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù)

在DDR的信號(hào)測(cè)試中,還有 一 個(gè)要解決的問題是怎么找到相應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)探 測(cè)。由于DDR的信號(hào)不像PCle、SATA、USB等總線 一 樣有標(biāo)準(zhǔn)的連接器,通常都是直接 的BGA顆粒焊接,而且JEDEC對(duì)信號(hào)規(guī)范的定義也都是在內(nèi)存顆粒的BGA引腳上,這就 使得信號(hào)探測(cè)成為一個(gè)復(fù)雜的問題。

比如對(duì)于DIMM條的DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試來說,雖然在金手指上測(cè)試是方便的找到 測(cè)試點(diǎn)的方法,但是測(cè)得的信號(hào)通常不太準(zhǔn)確。原因是DDR總線的速率比較高,而且可能 經(jīng)過金手指后還有信號(hào)的分叉,這就造成金手指上的信號(hào)和內(nèi)存顆粒引腳上的信號(hào)形狀差異很大。 解決方案DDR一致性測(cè)試熱線DDR4 和 LPDDR4 發(fā)射機(jī)一致性測(cè)試應(yīng)用軟件的技術(shù)指標(biāo)。

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需要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以 DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要 求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。

DDR4/5與LPDDR4/5 的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試

由于基于DDR顆粒或DDR DIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái),應(yīng)用場(chǎng)景千差萬別, 因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn) 來說,物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試;對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來說,由于接收端出 現(xiàn)了均衡器,所以還要包含接收測(cè)試。

DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào),技術(shù)規(guī)范并沒有 給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù),因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/ 下降時(shí)間來估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試,推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用 16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 快速 DDR4協(xié)議解碼功能.

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對(duì)DDR5來說,設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于 DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄 生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫信號(hào)分離

對(duì)于DDR總線來說,真實(shí)總線上總是讀寫同時(shí)存在的。規(guī)范對(duì)于讀時(shí)序和寫時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的,讀信號(hào)的測(cè)量要參考讀時(shí)序的要求,寫信號(hào)的測(cè)量要參考寫 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號(hào)的測(cè)試,第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號(hào)或者寫信號(hào)分離出來。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料: JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對(duì)于讀和寫信 號(hào)來說,DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的。 D9050DDRC DDR5 發(fā)射機(jī)合規(guī)性測(cè)試軟件.解決方案DDR一致性測(cè)試熱線

DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調(diào)試和驗(yàn)證的總線解碼器。解決方案DDR一致性測(cè)試熱線

在實(shí)際探測(cè)時(shí),對(duì)于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信號(hào)(DDR1和DDR2的 DQS還是單端信號(hào),DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探頭測(cè)試。DQ信 號(hào)是單端信號(hào),所以用差分或者單端探頭測(cè)試都可以。另外,DQ信號(hào)的數(shù)量很多,雖然逐 個(gè)測(cè)試是嚴(yán)格的方法,但花費(fèi)時(shí)間較多,所以有時(shí)用戶會(huì)選擇一些有代表性的信號(hào)進(jìn)行測(cè) 試,比如選擇走線長(zhǎng)度長(zhǎng)、短、中間長(zhǎng)度的DQ信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

還有些用戶想在溫箱里對(duì)DDR信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試,比如希望的環(huán)境溫度變化范圍為-40~85℃,這對(duì)于使用的示波器探頭也是個(gè)挑戰(zhàn)。 一般示波器的探頭都只能在室溫下工 作,在極端的溫度條件下探頭可能會(huì)被損壞。如果要在溫箱里對(duì)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試,需要選擇一 些特殊的能承受高溫的探頭。比如一些特殊的差分探頭通過延長(zhǎng)電纜可以在-55~150℃ 的溫度范圍提供12GHz的測(cè)量帶寬;還有一些寬溫度范圍的單端有源探頭,可以在-40~ 85℃的溫度范圍內(nèi)提供1.5GHz的測(cè)量帶寬。 解決方案DDR一致性測(cè)試熱線

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