什麼是DDR內存？如何測試？

近幾年來，CPU的速度呈指數倍增長。然而，計算機內存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內存作為PC工業的內存解決方案。在內存技術不斷發展的時代，每一種新技術的出現，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優越的性能。內存峰值帶寬定義為：內存總線寬度/8位X數據速率。該參數的提高會在實際使用過程中得到充分體現：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運動圖像質量更好。今年，一種新型內存：DDR內存面世了。對大多數人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數以百計前列內存和系統設計師3年來通力合作的結晶。DDR的出現預示著內存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內存相比更重要的一點是DDR的價格更低。 DDR協議檢查后生成的測試報告；校準DDR測試多端口矩陣測試

DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數測量和統計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環境，以及在示波器中進行去嵌入操作的界面。 DDR測試DDR測試DDR壓力測試的內容方案；

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除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發展，由DDR技術演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景，相對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內存技術，比如三星公司推出的LPDDR4x技術，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感，其電路設計的挑戰性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術來節省功耗，比如根據外界溫度自動調整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。

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DDR的信號仿真驗證由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉、反射非常嚴重，因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真軟件中專門針對DDR的仿真模型庫仿真出的通道損耗以及信號波形。仿真出信號波形以后，許多用戶需要快速驗證仿真出來的波形是否符合DDR相關規范要求。這時，可以把軟件仿真出的DDR的時域波形導入到示波器中的DDR測試軟件中,并生成相應的一致性測試報告，這樣可以保證仿真和測試分析方法的一致，并且便于在仿真階段就發現可能的信號違規。 DDR的信號探測技術方法；

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。DDR測試技術介紹與工具分析；廣東信息化DDR測試

不同種類的DDR協議測試探頭；校準DDR測試多端口矩陣測試

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內存，DDR內存的發展已經經歷了五代，目前DDR4已經成為市場的主流，DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數據線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數據線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態轉換時間、高阻態時間、總線刷新時間等，因此其實際的總線傳輸速率達不到這個理想值。

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