對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR測(cè)試信號(hào)問題排查；電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

    對(duì)于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號(hào)與DQ數(shù)據(jù)信號(hào)有一定建立時(shí)間tDS和保持時(shí)間tDH要求，否則會(huì)導(dǎo)致接收鎖存信號(hào)錯(cuò)誤，DDR4信號(hào)速率達(dá)到了，單一比特位寬為，時(shí)序裕度也變得越來越小，傳統(tǒng)的測(cè)量時(shí)序的方式在短時(shí)間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動(dòng)帶來的對(duì)時(shí)序惡化的貢獻(xiàn)，也很難準(zhǔn)確反映隨機(jī)抖動(dòng)Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動(dòng)因素，基于雙狄拉克模型分解抖動(dòng)和噪聲的隨機(jī)性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會(huì)在規(guī)范中明確了在DDR4中測(cè)試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時(shí)間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。 電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計(jì)；

實(shí)際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號(hào)的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來說，目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計(jì)是相對(duì)來說比較簡單的，也是比較實(shí)際的解決方案。在DDR的設(shè)計(jì)上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個(gè)左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。由于Vref相當(dāng)重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對(duì)VTT的布線是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性，因?yàn)樗恢灰袊?yán)格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計(jì)算出來。終，可以通過增加去耦電容來實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢(shì)，所以，去耦電容的數(shù)量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細(xì)的計(jì)算和仿真可以通過EDA工具來實(shí)現(xiàn)。

DDR測(cè)試

內(nèi)存條測(cè)試對(duì)內(nèi)存條測(cè)試的要求是千差萬別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進(jìn)行過芯片級(jí)半導(dǎo)體故障的測(cè)試，因而他們的測(cè)試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯(cuò)誤方面。通過采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條，可以有三種不同內(nèi)存條測(cè)試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測(cè)試。這恐怕是簡單的測(cè)試儀方案。大多數(shù)的測(cè)試儀公司一般對(duì)他們現(xiàn)有的SDR測(cè)試儀作一些很小的改動(dòng)就將它們作為DDR測(cè)試儀推出。SDR測(cè)試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個(gè)位上。在讀取過程中，SDR測(cè)試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后，通過將數(shù)據(jù)鎖存平移半個(gè)時(shí)鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測(cè)試儀能完全訪問DDR內(nèi)存單元。該方法沒有包括真正的突發(fā)測(cè)試，而且也不是真正的循環(huán)周期測(cè)試。

解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測(cè)試難題？

DDR測(cè)試DDR/LPDDR簡介目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲(chǔ)器速度較慢，主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲(chǔ)器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快，主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲(chǔ)器類型的劃分DDR的信號(hào)測(cè)試和協(xié)議測(cè)試；電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

近幾年來，CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來說，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

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