7.時序對于時序的計算和分析在一些相關文獻里有詳細的介紹，下面列出需要設置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數據需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數據是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR3信號質量自動測試軟件報告；信息化DDR測試項目

DDR測試

制定DDR內存規范的標準按照JEDEC組織的定義，DDR4的比較高數據速率已經達到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數據速率則達到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發展一直比同一代的DDR要慢一點。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動終端的發展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標準制定，并于2020年在的移動終端上開始使用。DDR5的規范(JESD79-5)于2020年發布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務器平臺走向商 電氣性能測試DDR測試執行標準DDR關于信號建立保持是的定義；

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。

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什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 DDR壓力測試的內容有那些；

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由于DDR4的數據速率會達到3.2GT/s以上，DDR5的數據速率更高，所以對邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態采樣時鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數據速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協議測試系統。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號引到邏輯分析儀，相應的適配器要經過嚴格測試，確保在其標稱的速率下不會因為信號質量問題對協議測試結果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號的采集和分析。 DDR在信號測試中解決的問題有那些；多端口矩陣測試DDR測試保養

DDR4信號質量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析；信息化DDR測試項目

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現在的PC、服務器、嵌入式系統上用的大容量內存都是DRAM。信息化DDR測試項目