3.互聯拓撲對于DDR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯方式，所以不需要任何的拓撲結構，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設置來做到阻抗匹配，從而實現其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯的，所以需要選擇一個合適的拓撲結構，圖2列出了一些相關的拓撲結構，其中Fly-By拓撲結構是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓撲結構都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓撲結構在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現，需要6層板以上，而菊花鏈式拓撲結構在一個4層板上是容易實現的。另外，樹形拓撲結構要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）。考慮到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設計中，合理的拓撲結構就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈式拓撲結構。DDR3信號質量自動測試軟件；河北DDR測試DDR測試

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現在的PC、服務器、嵌入式系統上用的大容量內存都是DRAM。HDMI測試DDR測試HDMI測試DDR4關于信號建立保持是的定義；

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測試頭設計模擬針對測試的設計（DFT）當然收人歡迎，但卻不現實。因為自動測試儀的所需的測試時間與花費正比于內存芯片的存儲容量。顯然測試大容量的DDR芯片花費是相當可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視，所以人們不斷試圖集結能有效控制和觀察的內部節點。DFT技術，如JEDEC提出的采用并行測試模式進行多陣列同時測試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸，該方案沒有被采納。DDR作為一種商品，必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競爭力的價位。

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。DDR有那些測試解決方案；

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經高達800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經高達1600Mbps。對于如此高的速度，從PCB的設計角度來幫大家分析，要做到嚴格的時序匹配，以滿足信號的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯拓撲、時延匹配、串擾、信號及電源完整性和時序，目前，有很多EDA工具可以對它們進行很好的計算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術要求和專有的技術要求DDR信號的讀寫分離方法；HDMI測試DDR測試HDMI測試

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4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線，另外，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變為等長度理想走線時，此時它們的時延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的，而對于帶有過孔的走線，時延是要來的大的。這種時延的產生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進行精確的時延匹配計算，然后控制走線的長度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內，減少不匹配度。對于trombone線，時延的不對等可以通過增大L3的長度而降低，因為并行線間會存在耦合，其詳細的結果，可以通過SigXP仿真清楚的看出，L3長度的不同，其結果會有不同的時延，盡可能的加長S的長度，則可以更好的降低時延的不對等。對于微帶線來說，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 河北DDR測試DDR測試