DDR測試

由于DDR4的數據速率會達到3.2GT/s以上，DDR5的數據速率更高，所以對邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態采樣時鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數據速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協議測試系統。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號引到邏輯分析儀，相應的適配器要經過嚴格測試，確保在其標稱的速率下不會因為信號質量問題對協議測試結果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號的采集和分析。 DDR規范里關于信號建立保持是的定義；信息化DDR測試系列

7.時序對于時序的計算和分析在一些相關文獻里有詳細的介紹，下面列出需要設置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數據需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數據是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 信息化DDR測試系列DDR信號質量自動測試軟件；

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測試軟件運行后，示波器會自動設置時基、垂直增益、觸發等參數進行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質量的測試還可以輔助用戶進行內存參數的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調試功能。比如在某個關鍵參數測試失敗后，可以針對這個參數進行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波形并進行參數統計，根據統計結果可以查找到參數違規時對應的波形位置，

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什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 DDR測試技術介紹與工具分析；

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DDR4/5的協議測試除了信號質量測試以外，有些用戶還會關心DDR總線上真實讀/寫的數據是否正確，以及總線上是否有協議的違規等，這時就需要進行相關的協議測試。DDR的總線寬度很寬，即使數據線只有16位，加上地址、時鐘、控制信號等也有30多根線，更寬位數的總線甚至會用到上百根線。為了能夠對這么多根線上的數據進行同時捕獲并進行協議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協議測試的基本方法是通過相應的探頭把被測信號引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運行解碼軟件進行協議驗證和分析。 DDR在信號測試中解決的問題有那些；信息化DDR測試系列

DDR4關于信號建立保持是的定義；信息化DDR測試系列

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。信息化DDR測試系列

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